Engineering Ceramic Co., (EC © ™) Rapport :
Le carbure de silicium (SiC), en tant que matériau semi-conducteur de troisième génération, est devenu une direction de développement importante de la technologie des matériaux semi-conducteurs en raison de ses excellentes propriétés telles qu'une large bande interdite, une intensité de champ électrique de claquage élevée et une conductivité thermique élevée. Dans la chaîne industrielle des semi-conducteurs, revêtement en carbure de silicium Le carbure de silicium est le matériau de base pour la fabrication des plaquettes, et l'inspection de la qualité des matériaux des plaquettes en carbure de silicium est un maillon clé pour garantir les performances. Dans l’industrie chinoise des semi-conducteurs, les technologies de détection couramment utilisées pour les substrats monocristallins en carbure de silicium comprennent :
I. Paramètres géométriques
Épaisseur
Variation d'épaisseur totale, TTV
Arc
Chaîne
Le rapport de test suivant provient du système de plaquettes entièrement automatisé Corning Tropel® FlatMaster® FM200, cet équipement est actuellement largement utilisé en Chine.
II. Défaut
Dans les matériaux de substrat monocristallin en carbure de silicium, les défauts sont généralement divisés en deux catégories principales : les défauts cristallins et les défauts de surface.
Défauts ponctuels - PD
Défauts des microtuyaux - MP
Luxations du plan basal - BPD
Luxations de bord - TED
Défauts d'empilement - SF
Luxations de vis - TSD
Les technologies de détection des défauts de surface comprennent principalement
Microscope électronique à balayage - SEM
Microscope optique
Cathodoluminescence - CL）
Contraste interférentiel différentiel - DIC
Photoluminescence - PL
Topographie aux rayons X - XRT
Tomographe à Cohérence Optique - OCT
Spectroscopie Raman - RS
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